一种低介电常数聚阴离子型微波介质陶瓷及制备方法
一种低介电常数聚阴离子型微波介质陶瓷及制备方法

申请号:

2015104692025
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摘要:

本发明公开了一种低介电常数聚阴离子型微波介质陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(1)以Li2CO3、聚磷酸铵、MgO、SiO2为原料,按Mg2SiO4‑LiMgPO4分子式配料混合,球磨并烘干后,预烧制得Mg2SiO4‑LiMgPO4陶瓷粉末;(2)将Mg2SiO4‑LiMgPO4、TiO2粉体按分子式mMg2SiO4‑nLiMgPO4‑pTiO2配料混合,球磨并烘干后,添加粘结剂造粒后,模压成型,烧结得致密介质陶瓷。本发明的聚阴离子型微波介质陶瓷的介电常数为6~11,品质因数Qf>18,000GHz,谐振频率温度系数较小。本发明的微波介质陶瓷在与微波通讯领域相关的工业生产活动中具有巨大应用价值。

详细介绍

本发明公开了一种低介电常数聚阴离子型微波介质陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(1)以Li2CO3、聚磷酸铵、MgO、SiO2为原料,按Mg2SiO4‑LiMgPO4分子式配料混合,球磨并烘干后,预烧制得Mg2SiO4‑LiMgPO4陶瓷粉末;(2)将Mg2SiO4‑LiMgPO4、TiO2粉体按分子式mMg2SiO4‑nLiMgPO4‑pTiO2配料混合,球磨并烘干后,添加粘结剂造粒后,模压成型,烧结得致密介质陶瓷。本发明的聚阴离子型微波介质陶瓷的介电常数为6~11,品质因数Qf>18,000GHz,谐振频率温度系数较小。本发明的微波介质陶瓷在与微波通讯领域相关的工业生产活动中具有巨大应用价值。


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用户评论

内容:
11
2022-01-05
专利不错
2022-01-05
专利很优质
2022-01-05
这个专利不错
2022-01-04
很好
2021-12-06
产品很不错 非常推荐
2021-12-03

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