一种原位合成Si3N4-Si2N2O-TiN三元复合粉体的方法
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申请号:

2015109921730
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摘要:

本发明是一种原位合成Si3N4‑Si2N2O‑TiN三元复合粉体的方法。本发明以Si粉、钛酸丁酯为原料,按Si:钛酸丁酯的质量分数比为48~96%:4~52%的配比经混料、干燥,获得Si‑TiO2复合粉体,Si和TiO2的质量分数比为80~99%:1~20%,将复合粉体干压成型,放入气氛炉中进行氮化,氮化温度为1300‑1450℃,时间为0.5~20h,氮化过程气氛为1atm的氮气,通过原位反应合成Si3N4‑Si2N2O‑TiN三元复合粉体,Si3N4:Si2N2O:TiN质量分数比为57~98%:1.5~33%:0.5~10%。本发明加快Si粉的氮化、促进形成高性能Si2N2O相、形成均匀分布且粒径细小TiN相,显著改善Si3N4陶瓷性能。

详细介绍

本发明是一种原位合成Si3N4‑Si2N2O‑TiN三元复合粉体的方法。本发明以Si粉、钛酸丁酯为原料,按Si:钛酸丁酯的质量分数比为48~96%:4~52%的配比经混料、干燥,获得Si‑TiO2复合粉体,Si和TiO2的质量分数比为80~99%:1~20%,将复合粉体干压成型,放入气氛炉中进行氮化,氮化温度为1300‑1450℃,时间为0.5~20h,氮化过程气氛为1atm的氮气,通过原位反应合成Si3N4‑Si2N2O‑TiN三元复合粉体,Si3N4:Si2N2O:TiN质量分数比为57~98%:1.5~33%:0.5~10%。本发明加快Si粉的氮化、促进形成高性能Si2N2O相、形成均匀分布且粒径细小TiN相,显著改善Si3N4陶瓷性能。


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一种高强度高过滤通量铜合金材料的制备方法

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用户评论

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11
2022-01-05
专利不错
2022-01-05
专利很优质
2022-01-05
这个专利不错
2022-01-04
很好
2021-12-06
产品很不错 非常推荐
2021-12-03

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