本发明公开了一种制备掺镧锆钛酸铅铁电厚膜陶瓷材料及其制备方法。所述材料的组成为(Pb1‑xLax)(Zr1‑yTiy)zO3，其中x＝0.03～0.15，y＝0.05～0.50，z＝0.50～1.00。该材料是将原料PbO、La2O3、ZrO2和TiO2按照固相反应法合成掺镧锆钛酸铅粉体，然后再通过流延成型工艺制成生膜，将生膜排胶烧结，得到掺镧锆钛酸铅铁电厚膜陶瓷。本发明制得的PLZT厚膜陶瓷的厚度为20～70μm，具有弛豫型铁电体的性能，并能承受较高的电场强度，该陶瓷表现出优异的电卡效应，可以满足制备电卡制冷器件的要求。