一种珠串状SiC/SiO2异质结构及其合成方法
一种珠串状SiC/SiO2异质结构及其合成方法

申请号:

2017106713985
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摘要:

本发明公开了一种珠串状SiC/SiO2异质结构及其合成方法。本发明珠串状SiC/SiO2异质结构由包括SiC纳米线内芯、包裹在SiC纳米线内芯上的SiO2包覆层,以及排列分布的、与SiO2包覆层及SiC纳米线内芯同轴心的SiO2球组成。本发明合成方法通过球磨、烧结得到SiC‑Si陶瓷复合粉体,再通过进一步烧结,在SiC‑Si陶瓷复合粉体表面原位合成得到所述珠串状SiC/SiO2异质结构。本发明的合成方法工艺简单、稳定,成本低,高效,可实现大规模工业化生产,而且可通过调整制备工艺对珠串状SiC/SiO2异质结构的形貌和尺寸进行控制。

详细介绍

本发明公开了一种珠串状SiC/SiO2异质结构及其合成方法。本发明珠串状SiC/SiO2异质结构由包括SiC纳米线内芯、包裹在SiC纳米线内芯上的SiO2包覆层,以及排列分布的、与SiO2包覆层及SiC纳米线内芯同轴心的SiO2球组成。本发明合成方法通过球磨、烧结得到SiC‑Si陶瓷复合粉体,再通过进一步烧结,在SiC‑Si陶瓷复合粉体表面原位合成得到所述珠串状SiC/SiO2异质结构。本发明的合成方法工艺简单、稳定,成本低,高效,可实现大规模工业化生产,而且可通过调整制备工艺对珠串状SiC/SiO2异质结构的形貌和尺寸进行控制。


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用户评论

内容:
11
2022-01-05
专利不错
2022-01-05
专利很优质
2022-01-05
这个专利不错
2022-01-04
很好
2021-12-06
产品很不错 非常推荐
2021-12-03

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