一种Micro‑LED芯片的转移方法，包括步骤：(1)将芯片进行表面电荷化处理；(2)转移基板上预先设置电极阵列；将芯片浸没于第一溶液中；将转移基板和电极浸入第一溶液中，两者中的一者连接电源的正极，另一者连接电源的负极；转移基板与芯片成相反电荷；(3)电源通电；转移基板上的电极阵列吸附有成阵列分布的芯片；(4)将转移基板和承载基板进行倒装，使转移基板上的芯片与承载基板上的焊盘对准；(5)将芯片脱离转移基板表面，转移到承载基板的焊盘上；(6)重复上述步骤，将多种形状的芯片依次转移至同一承载基板上。本发明实现了三原色Micro‑LED芯片的巨量转移，操作简单，从而提高了生产效率，降低了生产成本。