本发明涉及一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法，包括如下步骤：步骤一，检测出芯片的缺陷位置及填充材料的种类与性能参数；步骤二，将所述芯片放置在二维运动平台上，对所述芯片进行定位，标定出芯片上的原点，设定二维运动平台的速度与位移参数；步骤三，根据所述填充材料的性能参数设置两束激光的参数；调节两束激光三维入射角度与Z轴的焦距，使得两束激光的聚焦点照射所述芯片的断路处的任一端，将该端的填充材料改性为石墨烯；步骤四，所述二维运动平台带动所述芯片移动，使两束所述激光的聚焦点移动到所述断路处的另一端，并使移动轨迹连通所述芯片的断路处的两端。本发明能更加方便焊接电路内部的断路。