一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法及芯片封装结构
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申请号:

2019113793019
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摘要:

本发明涉及集成电路封装技术领域,特别是一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法及芯片封装结构,所述芯片封装方法不使用临时键合胶,直接在基板上方设置介电层,芯片直接热压如介电层后可快速完成注塑固化工序,达到减少了封装的工序,减少了芯片的漂移;此外,所述芯片封装方法在基板和介电层之间增设了特殊材料的隔离层,有利于基板后续与固化芯片结构分离,同时因为介电层与隔离层结合力不高,介电层及介电层以上的芯片封装结构在封装固化时可以灵活的固化封装,不会出现内部应力不均的现象,能降低了芯片封装结构内部应力,也有利于避免出现翘曲的现象,提高了芯片封装结构的封装效率和质量。

详细介绍

本发明涉及集成电路封装技术领域,特别是一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法及芯片封装结构,所述芯片封装方法不使用临时键合胶,直接在基板上方设置介电层,芯片直接热压如介电层后可快速完成注塑固化工序,达到减少了封装的工序,减少了芯片的漂移;此外,所述芯片封装方法在基板和介电层之间增设了特殊材料的隔离层,有利于基板后续与固化芯片结构分离,同时因为介电层与隔离层结合力不高,介电层及介电层以上的芯片封装结构在封装固化时可以灵活的固化封装,不会出现内部应力不均的现象,能降低了芯片封装结构内部应力,也有利于避免出现翘曲的现象,提高了芯片封装结构的封装效率和质量。


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一种高强度高过滤通量铜合金材料的制备方法

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用户评论

内容:
11
2022-01-05
专利不错
2022-01-05
专利很优质
2022-01-05
这个专利不错
2022-01-04
很好
2021-12-06
产品很不错 非常推荐
2021-12-03

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