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本发明公开了一种二硒化钨‑氮掺杂石墨烯光催化吸附材料及其制备方法，属于光催化材料技术领域。其中二硒化钨属于间接能带隙半导体材料，且具有较高的光吸收系数，禁带宽度为1.35eV。石墨烯有极高的电子迁移率，可增强光催化材料的光生载流子的迁移率；并且具有较大的比表面积，增加了其吸附性能。而氮元素的掺杂可以改善光催化剂的光谱响应性，拓宽其吸光范围。提高了可见光催化剂对有机污染物的降解性能。在相同条件下二硒化钨‑氮掺杂石墨烯光催化吸附材料比二硒化钨及氮掺杂石墨烯表现出更高的光催化吸附性能。
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