一种光箔晶粒控制方法及电解电容器用阳极箔的制备方法
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本发明公开了一种光箔晶粒控制方法及电解电容器用阳极箔的制备方法，涉及电解电容器技术领域。本发明的光箔晶粒控制方法，包括如下步骤：S1.将光箔样品至于退火炉中，退火炉抽真空至真空度为50～100Pa，快速升温至250℃，抽高真空至≤2Pa，保温2h，S2.保持真空度，快速升温到420℃，保持真空度向炉内持续充入惰性气体，流量为3～10L/min，保温2‑4h；S3.缓慢降温至250℃，充入空气保持正常大气压，然后快速降温到50～120℃出炉。本发明光箔晶粒控制方法通过退火过程真空度和升温速率的控制实现了晶粒大小及均匀度的控制，进而兼顾提升了腐蚀箔的比容和强度。