一种低介低烧基板材料及其制备方法
一种低介低烧基板材料及其制备方法

申请号:

2018101519324
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摘要:

本发明公开了一种低介低烧基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了:7.0~9.0 mol%的MgO,43.0~45.0 mol%的ZnO,13.0~15.0 mol%的B2O3,34.0 mol%的P2O5,0.5~1.0mol%Ga2O3和0.5mol%Sc2O3。所述基板材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料,其在测试频率(15‑16 GHz)下的相对介电常数(Er)低至3.02‑3.15,谐振频率温度系数绝对值(Tcf)低至57‑70 ppm/oC,品质因数(Qxf)可以达到11500‑14000GHz。

详细介绍

本发明公开了一种低介低烧基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了:7.0~9.0 mol%的MgO,43.0~45.0 mol%的ZnO,13.0~15.0 mol%的B2O3,34.0 mol%的P2O5,0.5~1.0mol%Ga2O3和0.5mol%Sc2O3。所述基板材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料,其在测试频率(15‑16 GHz)下的相对介电常数(Er)低至3.02‑3.15,谐振频率温度系数绝对值(Tcf)低至57‑70 ppm/oC,品质因数(Qxf)可以达到11500‑14000GHz。

用户评论

内容:
11
2022-01-05
专利不错
2022-01-05
专利很优质
2022-01-05
这个专利不错
2022-01-04
很好
2021-12-06
产品很不错 非常推荐
2021-12-03

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