本发明公开了一种集成电路陶瓷基片材料及其制备方法，所述的集成电路陶瓷基片材料包括三氧化二铝、莫来石、碳化硅、氧化铍、氧化钙、碳化锆、氧化镁、氮化钽。所述材料的制备方法包括以下步骤：(1)将上述的成分混合后进行球磨；(2)球磨后将步骤(1)的粉末材料进行冷压制成型；(3)将压制成型后的粉末材料进行梯度温度烧结，将步骤(2)压制成型后的陶瓷材料投入高温烧结炉中，首先将高温烧结炉温度升高为800‑830℃，在该温度下烧结3h；再将高温烧结炉温度升高至950‑1000℃，在该温度下烧结3h；最后再将高温烧结炉温度升高为1050‑1100℃，在该温度下烧结3h；冷却，为制备的陶瓷基片材料。