本发明涉及压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法，它采用反应磁控溅射法在晶体两端生长ZnO薄膜，晶体附着在夹具上。生长时，将晶体的两端对称于靶源中心线放置使晶体两端处于完全相同的辉光区包裹中，利用同一靶源在晶体两端同时生长出ZnO薄膜。本发明由于晶体的两端处于完全相同的辉光区包裹中，即两者的生长环境完全相同，因此本方法生长的ZnO薄膜两端整体状态一致。XRD分析显示ZnO薄膜c轴取向良好，且两端的ZnO薄膜结晶取向状况基本一致。通过对两端的换能器分别测试回波损耗，两端的结果基本一致，这对于后期提取换能器的S参数进行网络匹配带来了很大的便利。