本发明提供了一种制备氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜的方法。本发明方法包括如下步骤：S1.以高纯锌作为靶材，在靶面上放置高纯铝片，所述靶材上方放置有衬底，且衬底与靶材间的距离可调，通入高纯氮气进行射频磁控反应溅射，制备得到含铝氮化锌薄膜作为前驱体；S2.前驱体制备完成后，抽真空，通入高纯氧气对前驱体薄膜进行原位低压氧化，制备得到氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜。本发明在优化了前驱体性能的前提下，提高了薄膜中活性氮的含量，从而增加空穴载流子的浓度和迁移率，降低氧化锌薄膜电阻率，制备得到的氮化锌薄膜电阻率低至10.84W×cm，载流子浓度达到+4.65×1018cm‑3，光学带隙在3.27eV，薄膜结晶状态和光学性质良好。