一种绝缘材料金属等离子体浸没离子注入与沉积装置及使用其进行注入与沉积的方法，它涉及一种离子注入处理装置和方法。本发明的目的是要解决现有对绝缘材料进行金属等离子体浸没离子注入时无法实现绝缘材料表面积累电荷的中和，当表面累积电荷量增加一定程度时可能产生“打火”现象，严重时会使设备损坏的问题。装置包括气体等离子体源、金属栅网、高压靶台、被处理绝缘工件、负高压脉冲源、磁导管、金属阴极弧等离子体源和真空室。方法：向真空室内通入氩气，打开气体等离子体源，将气体等离子体源的功率调节至200W～400W，设定工作参数，启动，即完成注入与沉积的方法。本发明适用于在绝缘材料表面进行大面积金属离子注入与沉积。