本发明提出一种在多晶硅铸锭坩埚上制备Si3N4薄膜的方法，主要包括制备Si3N4粉体、Si3N4粉体冷等静压成型以获得Si3N4陶瓷靶材毛坯、Si3N4陶瓷靶材毛坯进行高温烧结以获得Si3N4陶瓷素坯、Si3N4陶瓷素坯进行机械加工以获得Si3N4陶瓷靶材、真空磁控溅射Si3N4涂层等步骤，通过该种方式，不仅能够获得性能稳定、强度高、粘结性强、结构均匀的Si3N4涂层，而且可以减少坩埚中杂质浸入硅锭中，进而提供高纯度的多晶硅，避免涂层富集现象，提升电池性能，解决了常规制备Si3N4涂层中涂层性能不稳定引起多晶硅质量差等问题，从而改善了多晶硅铸造质量，提升了太阳能转化效率。