本发明公开一种基于解析法制备定原子比的掺杂Ge2Sb2Te5相变薄膜的方法，根据掺杂原子比计算得到两靶的沉积厚度比，进而确定两靶的溅射功率，制备形如Ax(Ge2Sb2Te5)100‑x的薄膜，其中A为掺杂元素，x为待制备掺杂薄膜中掺杂原子的百分比，测试后调整两靶的溅射功率得到所需掺杂原子比的薄膜；具体制备步骤为：计算两靶的沉积薄膜厚度比，两靶对应薄膜的沉积速率，选取衬底和预处理，确定两靶的溅射功率，溅射镀膜，检测薄膜的化学成分与目标薄膜比照，微调溅射功率制备符合掺杂原子比的Ge2Sb2Te5薄膜。采用本发明的高效制备定掺杂原子比的共溅射薄膜的方法，大大缩短了探索镀膜工艺参数的实验周期，本发明适用于任意两种靶材通过共溅射得到掺杂薄膜的制备。