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一种MPCVD制备GaN纳米线的方法属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。高质量GaN纳米线的可控制备是当前的一个技术难点，本发明采用设计的石英坩埚和石英罩克服了这一难点，首次采用MPCVD制备了高质量的GaN纳米线，并且摒弃了对环境有污染的NH3和危险气体H2，在整个制备过程中N2作为唯一气体，为GaN的环保绿色制备得到了一个新的突破。
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