本发明公开了一种大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法，包括以下步骤：在(100)晶向的单晶硅片上旋涂一层光刻胶；在此硅片上制备光刻胶图形阵列；在光刻胶图形阵列表面镀一层金属膜；移除光刻胶和镀在光刻胶上的金属膜，得到带有金属网格图形的单晶硅片；将此的单晶硅片放入氢氟酸和双氧水的混合溶液中进行金属辅助蚀刻，形成多孔硅膜；将多孔硅膜冲洗干净，干燥，使得多孔硅膜自行剥离；用有粘性的柔性基底粘附多孔硅膜，得到大面积柔性疏水多孔硅膜；其中，单晶硅片电阻率为0.001~0.005Ω·cm。本发明生产成本低，工艺简单，该方法制备出的多孔硅膜为柔性疏水的，疏水效果好，可粘附在任意材料、任意形状的基底上，可剪裁成任意形状，并且保持硅原有性能；具有巨大的应用前景。