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本发明涉及一种Ga2O3基透明导电薄膜及其制备方法。本发明制备的透明导电薄膜是通过往Ga2O3薄膜中掺入Si和Ta元素后获得高浓度n型薄膜。本发明采用的薄膜沉积方法是激光脉冲沉积法，通过激光束轰击Ga2O3基掺杂混合靶后在基片表面沉积出Ga2O3基透明导电薄膜。本发明得到的Ga2O3基透明导电薄膜具有较高载流子浓度（>4×1019cm‑3）和良好导电性，在深紫外至可见光区有高透光性（>82%），适合作紫外发光器件（如LED、LD）和日盲探测器等器件的窗口层和电极层材料等，有良好的应用前景。
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