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本发明涉及一种采用后退火处理的共溅射制备MWCNT@XY的方法及MWCNT@XY。所述方法包括如下步骤:S1:在玻碳载体上生长独立、垂直排列的MWCNT阵列;S2:在MWCNT阵列上共溅射沉积得到涂层X’和Y’;S3:对S2共溅射得到的MWCNT阵列进行后退火处理即得所述MWCNT@XY。本发明通过共溅射在MWCNT阵列上沉积X’和Y’涂层,然后利用后退火处理,使得X’和Y’两种材料迁移重结晶并混合,最终得到的MWCNT@XY涂层均匀,可广泛应用于电催化、电分析、超级电容器和电池等领域。
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