基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法
基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法

申请号:

2019101943424
参考价格:面议

客服热线:

020-32502944

摘要:

基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法,涉及制备掺杂类薄膜的领域,为了解决现有制备掺杂类薄膜技术在放电过程易相互干扰,易出现靶中毒现象,薄膜的成分难以自由调节,沉积效率较低且易引入杂质的问题。本发明的装置采用双直流电源,通过控制电源U1和电源U2的电压值控制薄膜的掺杂含量。本发明适用于制备掺杂类薄膜。

详细介绍

基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法,涉及制备掺杂类薄膜的领域,为了解决现有制备掺杂类薄膜技术在放电过程易相互干扰,易出现靶中毒现象,薄膜的成分难以自由调节,沉积效率较低且易引入杂质的问题。本发明的装置采用双直流电源,通过控制电源U1和电源U2的电压值控制薄膜的掺杂含量。本发明适用于制备掺杂类薄膜。


专利交易的流程

一种高强度高过滤通量铜合金材料的制备方法

服务保障

一种高强度高过滤通量铜合金材料的制备方法



用户评论

内容:
11
2022-01-05
专利不错
2022-01-05
专利很优质
2022-01-05
这个专利不错
2022-01-04
很好
2021-12-06
产品很不错 非常推荐
2021-12-03

在线咨询

1
h
jj
kk