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一种制备β‑Ga2O3薄膜方法属于微电子技术领域，解决制备β‑Ga2O3薄膜存在混相和晶体质量差的问题。该方法先利用等离子体增强原子层沉积在蓝宝石衬底上生长Ga2O3薄膜，然后再进行高温退火重结晶，将亚稳态的Ga2O3转化为稳态的，最后采用金属有机物化学气相沉积技术生长β‑Ga2O3薄膜。本发明制备单相β‑Ga2O3方法可为后面再制备较厚的β‑Ga2O3材料和器件奠定基础。
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