尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe2O4薄膜是一种p型半导体材料。