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本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米管。本实用新型采用的Si衬底易获得、面积大、成本低、有利于降低器件成本；本实用新型的(In)GaN纳米管晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。
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