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本实用新型公开了一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器。所述自供电紫外探测器，自下至上依次包括衬底、GaN纳米柱阵列、所述GaN纳米柱阵列顶上支撑着的单层MoS2薄膜；所述单层MoS2薄膜上设有第一金属电极；所述GaN纳米柱阵列底端处设有第二金属电极。本实用新型的自供电紫外探测器将单层MoS2薄膜转移至生长的GaN纳米柱阵列顶部形成异质结，并利用了MoS2‑GaN异质结的PV效应，极大程度减小了器件的尺寸体积，对光电集成器件应用前景重大。
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